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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre

TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-OFF GaN Transistors After Heavy Ion Radiation

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BSO - Titre

TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-off GaN Transistors after Heavy Ion Radiation

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DOI

DOI10.1109/tns.2017.2710629

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DOAI

DOAI10.1109/tns.2017.2710629

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Identifiant WoS

WOS:000411034700031

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Accès ouvert

OA - Oui

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Source - Accès ouvert

OA - Non

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Type d'accès

Archive

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Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Source

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE

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ISSN

0018-9499

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Type de document

Article

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Notoriété

4 - Excellente

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CNRS

Oui

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CNRS - Institut

INS2I - Institut des sciences de l'information et de leurs interactions
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes

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